✨IGBT

IGBT

IGBT (insulated-gate bipolar transistor): Transistor có cực điều khiển cách ly là một linh kiện bán dẫn công suất 3 cực được phát minh bởi Hans W. Beck và Carl F. Wheatley vào năm 1982. IGBT kết hợp khả năng đóng cắt nhanh của MOSFET và khả năng chịu tải lớn của transistor thường. Mặt khác IGBT cũng là phần tử điều khiển bằng điện áp, do đó công suất điều khiển yêu cầu sẽ cực nhỏ.

Cấu tạo, nguyên lý hoạt động

Về cấu trúc bán dẫn, IGBT rất giống với MOSFET, điểm khác nhau là có thêm lớp nối với collector tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa emiter (tương tự cực gốc) với collector (tương tự với cực máng), mà không phải là n-n như ở MOSFET. Vì thế có thể coi IGBT tương đương với một transistor p-n-p với dòng base được điều khiển bởi một MOSFET. right|thumb|Cấu trúc IGBT điển hình thumb|Mạch tương đương của IGBT thumb|Đặc trưng tĩnh IGBT

Dưới tác dụng của áp điều khiển Uge>0, kênh dẫn với các hạt mang điện là các điện tử được hình thành, giống như ở cấu trúc MOSFET.Các điện tử di chuyển về phía collector vượt qua lớp tiếp giáp n-p như ở cấu trúc giữa base và collector ở transistor thường, tạo nên dòng collector.

Đặc tính đóng cắt của IGBT

Do cấu trúc n-p-n mà điện áp thuận giữa C và E trong chế độ dẫn dòng ở IGBT thấp hơn hẳn so với Mosfet. Tuy nhiên do cấu trúc này làm cho thời gian đóng cắt của IGBT chậm hơn so với Mosfet, đặc biệt là khi khóa lại. Trên hình vẽ thể hiện cấu trúc tương đương của IGBT với Mosfet và một transistor p-n-p. Ký hiệu dòng qua IGBT gồm hai thành phần: i1 dòng qua Mosfet, i2 dòng qua transistor. Phần Mosfet trong IGBT cs thể khóa lại nhanh chóng nếu xả hết được điện tích giữa G và E, do đó dòng i1= 0, tuy hiên i2 sẽ không suy giảm nhanh chóng được do lượng điện tích lũy trong (tương đươngvới base của cấu trúc p-n-p) chỉ có thể mất đi do quá trình tự trung hòa điện tích. Điều này xuất hiện vùng dòng điện kéo dài khi khóa IGBT.

Vùng làm việc an toàn (Safe Operating Area)

Vùng làm việc an toàn được thể hiện dưới dạng đồ thị quan hệ giữa điện áp và giá trị dòng điện lớn nhất mà phần tử có thể hoạt động được trong mọi chế độ, khi dẫn, khi khóa, cũng như trong các quá trình đóng cắt. SOA của IGBT được biểu diễn ở hình bên.

Ở hình đầu tiên biểu diễn khi điện áp đặt lên cực điều khiển và emitor là dương và hình thư hai thì điện áp này là âm. Khi điện áp điều khiển dương, SOA có dạng hình chữ nhật với góc hạn chế ở phía trên, bên phải, tương ứng với chế độ dòng điện và điện áp lớn. Điều này có nghĩa là khi chu kì đóng cắt càng ngắn, ứng với tần số làm việc càng cao thì khả năng đóng cắt công suất càng suy giảm. Khi đặt điện áp điều khiển âm lên cực điều khiển và emitor, SOA lại bị giới hạn ở vùng công suất lớn do tốc độ tăng điện áp quá lớn sẽ dẫn đến xuất hiện dòng điện lớn đưa vào vùng p của cực điều khiển, tác dụng giống như dòng điều khiển làm IGBT mở trở lại như tác dụng đối với cấu trúc của thyristor. Tuy nhiên khả năng chịu đựng tốc độ tăng áp ở IGBT lớn hơn nhiều so với ở các phần tử bán dẫn công suất khác.

Giá trị lớn nhất của dòng cho phép collector cho phép Icm được chọn sao cho tránh được hiện tượng chốt giữ dòng, không khóa lại được, giống như ở thyristor. Hơn nữa, điện áp điều khiển lớn nhất Uge cũng phài được chọn để có thể giới hạn được dòng điện Ice trong giới hạn lớn nhất cho phép này trong điều kiện sự có ngắn mạch bằng cách chuyển đổi bắt buộc từ chế độ bão hòa sang chế độ tuyến tính. Khi đó dòng Ice được giới hạn không đổi, không phụ thuộc vào điện áp Uce lúc đó. Tiếp theo IGBT phải được khóa lại trong điều kiện đó, càng nhanh càng tốt để tránh phát nhiệt quá mạnh. Tránh được hiện tượng chốt giữ dòng bằng cách liên tục theo dõi dòng collector là điều cần thiết khi thiết kế IGBT.

Yêu cầu với tín hiệu điều khiển

Vấn đề bảo vệ IGBT

Thông thường IGBT được sử dụng trong những mạch đóng cắt tần số cao, từ 2 đến hàng chục kHz. Ở tần số đóng cắt cao như vậy, những sự cố có thể phá hủy phần tử rất nhanh và dẫn đến phá hỏng toàn bộ thiết bị. Sự cố thường xảy ra nhất là quá dòng do ngắn mạch từ phía tải hoặc từ các phần tử có lỗi do chế tạo hoặc lắp ráp.

Có thể ngắt dòng IGBT bằng cách đưa điện áp điều khiển về giá trị âm. Tuy nhiên quá tải dòng điện có thể đưa IGBT ra khỏi chế độ bão hòa dẫn đến công suất phát nhiệt tăng đột ngột, phá hủy phần tử sau vài chu kỳ đóng cắt. Mặt khác khi khóa IGBT lại trong một thời gian rất ngắn khi dòng điện rất lớn dấn đến tốc độ tăng dòng quá lớn, gây quá áp trên collector, emiter, lập tức đánh thủng phần tử. Trong sự cố quá dòng, không thể tiếp tục điều khiển IGBT bằng những xung ngắn theo quy luật như cũ, cũng không đơn giản là ngắt xung điều khiển để dập tắt dòng điện được.

Có thể ngăn chặn hậu quả của việc tắt dòng đột ngột bằng cách sử dụng các mạch dập RC (snubber circuit), mắc song song với các phần tử. Tuy nhiên các mạch dập có thể làm tăng kích thước và giảm độ tin cậy của thiết bị. Giải pháp tối ưu được đưa ra là làm chậm lại quá trình khóa của IGBT, hay còn gọi là khóa mềm (soft turn-off) khi phát hiện có sự cố dòng tăng quá mức cho phép.

👁️ 23 | ⌚2025-09-03 20:58:28.584
Mua hàng tại Shopee giảm thêm 30%

**IGBT** (insulated-gate bipolar transistor): Transistor có cực điều khiển cách ly là một linh kiện bán dẫn công suất 3 cực được phát minh bởi Hans W. Beck và Carl F. Wheatley vào năm 1982.
Điện áp đầu vào 220V 50Hz Dòng điện ra 20A-200A Que hàn Hàn que inox 1.6mm 2.5mm hàn que sắt 2.5mm 3.2mm Công nghệ Máy được sản xuất theo công nghệ IGBT tiến tiến Nhật
Thông tin về máy hàn inverter BTEC MMA-200MINI Điện thế ra DC 60V Phạm vi điều chỉnh dòng hàn 20A - 200A Dòng hàn 145A Dây hàn 2.0m dây hàn to chắc chắn và dày
Bếp từ đơn Nagakawa NAG0718 sở hữu thiết kế tinh tế, sang trọng bằng mặt kính đen sáng bóng mang đến sự hiện đại cho mọi không gian bếp của bạn. Bảng điều khiển IGBT
Điện Tử Công Suất Lý Thuyết - Bài Tập - Bài Giải Ứng Dụng Điện tử công suất là lĩnh vực kỹ thuật hiện đại, nhằm nghiên cứu ứng dụng các linh kiện bán dẫn
Điện tử và Điện tử thực hành là môn học đã và đang được đưa vào giảng dạy tại các trường Cao đẳng, Đại học chuyên ngành điện hơn 60 năm. Môn học Điện tử
Giáo Trình Điện Tử Công Suất Mạch Biến Đổi Điện Áp Điện tử công suất là môn học ngoài việc nghiên cứu bản chất vật lý, các quá trình diễn ra trong các linh kiện
Điện tử công suất là môn học ngoài việc nghiên cứu bản chất vật lý, các quá trình diễn ra trong các linh kiện điện tử công suất như Diode, Thyristor, GTO, Triac, Mosfet công
Máy được sản xuất theo dây chuyền công nghệ 100 của Nhật Bản. Sử dụng công nghệ inverter IGBT. Máy nhỏ gọn thích hợp cho gia đình, công việc đi công trình hoặc hàn trên
Ưu điểm nổi bật của máy hàn que Kenmax ARC 200Z ARC 20 Kenmax ARC 200ZARC 20 có khả năng điều chỉnh dòng hàn lên tới 200W sẽ giúp công việc của bạn trở lên
1. THÔNG SỐ KỸ THUẬT Máy hàn điện tử Inverter SASUKE KMMIG 200 MINI - 3 CHỨC NĂNG - KHÔNG DÙNG KHÍ Thương Hiệu SASUKE Model KMMIG-200 MINI Nguồn220V-5060Hz Điện áp ra 50-70V Công suất
Điện tử là môn học cơ bản trong các Khoa Điện – Điện tử của nhiều trường. Bộ sách “Giáo trình Điện tử” được biên soạn dựa trên cơ sở chương trình môn học Điện
Điện tử công suất là môn học ngoài việc nghiên cứu bản chất vật lý, các quá trình diễn ra trong các linh kiện điện tử công suất như Diode, Thyristor, GTO, Triac, Mosfet công
Mã sản phẩm EU-TE259 Hãng sản xuất EUROSUN Germany Loại sản phẩm Bếp điện từ Số bếp nấu 1 từ + 1 Hồng ngoại Mặt bếp Kính Vittoceramic Malaysia Bảng mạch linh kiện IGBT, SIEMENS
============================= THÔNG TIN SẢN PHẨM • Model: HL – 05Y • Sử dụng công nghệ Đức (IGBT) • Mâm từ đồng 100%, kích thước lên đến 180mm • Mặt kính cường lực Ceramic thương hiệu
THÔNG SỐ KỸ THUẬT • Bếp 01 từ 01 điện • Mặt kính Schott Ceran Made in Germany siêu bền, chịu lực chịu sốc nhiệt • Đầu đốt EGO Made in Germany, bo mạch IGBT
Mô tả Mã sản phẩm: Half Bridge KF-SQ38IH Xuất xứ: Nhập khẩu 100% Germany ĐẶC ĐIỂM SẢN PHẨM – Bếp 03 từ EGO – Mặt kính Schott Ceran Made In Germany – IGBT SIMENS Made
Đặc điểm - Kiểu dáng gọn gàng, hiện đại - Có chức năng hẹn giờ, 5 chức năng nấu chín - Sử dụng chíp điều khiển SiemenS IGBT - Mặt bếp được làm bằng chất
• Bếp điện từ kết hợp: 01 từ và 01 điện • Mặt kính Schott Ceran siêu bền, chịu lực chịu sốc nhiệt • Mâm Nhiệt Hồng ngoại EGO Hi-light 24cm • Bo mạch IGBT
+ Bếp 02 từ + Mặt kính crystal siêu bền, chịu lực chịu sốc nhiệt + 10 dải công suất + Điều khiển cảm ứng độc lập dạng ẩn trực tiếp trên mặt bếp +
TÍNH NĂNG SẢN PHẨM Mặt kính Keramik vát cạnh bo viền nhôm Aluminum IGBT hãng Siemens Germany Điều khiển 2 phím Slider với 9 mức công suất Chức năng tăng tốc khi đun nấu Booster
Bếp 02 điện Mặt kính crystal siêu bền, chịu lực chịu sốc nhiệt 9 dải công suất + Bo mạch IGBT Siemen Điều khiển cảm ứng độc lập dạng ẩn trực tiếp trên mặt bếp
• Bếp Domino: 02 từ • Mặt kính Crystal siêu bền, chịu lực chịu sốc nhiệt • Bo mạch IGBT SIMENS Made in Germany • Điều khiển cảm ứng độc lập dạng trượt slider trực
THÔNG TIN SẢN PHẨM: • Bếp điện từ kết hợp: 01 từ và 01 điện • Mặt kính Schott Ceran siêu bền, chịu lực chịu sốc nhiệt • Mâm Nhiệt Hồng ngoại EGO Hi-light 24cm
THÔNG SỐ KỸ THUẬT BẾP TỪ ĐƠN ÂM KAFF KF-H33IS - Bếp từ đơn / Lắp âm/ Đặt dương - Mặt kính Crystal siêu bền, chịu lực chịu sốc nhiệt - IGBT SIMENS Made in
TÍNH NĂNG SẢN PHẨM: + Mặt kính Keramic vát cạnh bo viền Aluminum + IGBT hãng Siemens Germany + Điều khiển 2 phím Slider với 9 mức công suất + Chức năng tăng tốc khi
• Bếp 01 từ 01 điện • Mặt kính Schott Ceran Made in Germany siêu bền, chịu lực chịu sốc nhiệt • Đầu đốt EGO Made in Germany, bo mạch IGBT SIEMENS Made in Germany
THÔNG SỐ KỸ THUẬT BẾP TỪ DOMINO KAFF KF-H33DIS - Bếp Từ Domino: 02 từ - Mặt kính Crystal siêu bền, chịu lực chịu sốc nhiệt - IGBT SIMENS Made in Germany - Chức năng
• Bếp 01 từ 01 điện • Mặt kính Schott Ceran Made in Germany siêu bền, chịu lực chịu sốc nhiệt • Đầu đốt EGO Made in Germany, bo mạch IGBT SIMENS Made in Germany
Nhà sản xuất : Del mas maju industri Malaysia & Pensonic Corporation Shn Bhd - Loại sản phẩm : Bếp điện từ - Mặt bếp Kính : Euro Platinum Ceramic chịu lực, chịu nhiệt cao
LÕI ĐỒNG Lõi bếp bằng đồng nguyên chất, hiệu suất cao, linh kiện điện tử Siemens IGBT 20A, cho hiệu suất sử dụng cao và làm nóng nhanh, giúp tiết kiệm điện MÀN HÌNH 4
MÔ TẢ SẢN PHẨM: • Bếp 02 từ • Mặt kính Schott Ceran siêu bền, chịu lực chịu sốc nhiệt • Điều khiển cảm ứng Slider trực tiếp trên mặt bếp • Bo mạch IGBT
là dòng bếp từ công nghiệp đơn dùng được nồi, chảo có đường kính đế từ 18cm - 35cm. Bếp không kèm nồi. TS8043 sử dụng lõi đồng 100% cùng công nghệ IGBT của
• Bếp từ đơn • Mặt kính Crystal siêu bền, chịu lực chịu sốc nhiệt • Bo mạch IGBT SIMENS Made in Germany • Điều khiển cảm ứng độc lập dạng trượt slider trực tiếp
• Bếp 02 từ • Mặt kính Schott Ceran siêu bền, chịu lực chịu sốc nhiệt • Điều khiển cảm ứng Slider trực tiếp trên mặt bếp • Bo mạch IGBT SIEMENS Made in Germany
THÔNG SỐ KỸ THUẬT • Bếp 01 từ 01 điện • Mặt kính Schott Ceran Made in Germany siêu bền, chịu lực chịu sốc nhiệt • Đầu đốt EGO Made in Germany, bo mạch IGBT
Chất liệu cao cấp, bền bỉ Bếp Điện Từ KAFF KF-IC3801 được trang bị bo mạch chủ IGBT cao cấp sản xuất tại Siemen và có mặt kính Crystal không những siêu bền, có khả
Bếp điện từ đôi lắp âm Nagakawa NK2C08MS nấu ăn nhanh với tổng công suất đến 4400W - 2 vùng nấu sử dụng tiện lợi với vùng trái Ø 22 cm công suất 2000/Booster 2400W,
Thông tin sản phẩm EU-T715 Pro EU-T715Pro 2 vùng nấu cảm ứng từ. Bếp được nhập khẩu nguyên chiếc từ Malaysia, thiết kế tinh tế và sang trọng, mang phong cách hiện đại, điểm nhấn
Bếp Từ KAFF KF-FL101CC sử dụng mặt kính được làm từ chất liệu gốm thủy tinh có khả năng chịu lực va đập và sốc nhiệt tới 1000 độ C, chống xước tốt nên
MIỄN PHÍ CÔNG LẮP ĐẶT CƠ BẢN + MIỄN PHÍ GIAO HÀNG TOÀN QUỐC 1. Công nghệ Inverter tiết kiệm điện Bếp đôi điện từ Nagakawa NAG1213M sử dụng công nghệ biến tần Inverter kiểm
MIỄN PHÍ CÔNG LẮP ĐẶT CƠ BẢN + MIỄN PHÍ GIAO HÀNG TOÀN QUỐC 1. Mặt kính Schott Ceran: Bếp đôi điện từ Nagakawa NAG1215M được sử dụng mặt kính đến từ thương hiệu gốm
MIỄN PHÍ CÔNG LẮP ĐẶT CƠ BẢN + MIỄN PHÍ GIAO HÀNG TOÀN QUỐC 1. Mặt kính Schott Ceran: Bếp đôi điện từ Nagakawa NK2C08MS được sử dụng mặt kính đến từ thương hiệu gốm
MIỄN PHÍ CÔNG LẮP ĐẶT CƠ BẢN + MIỄN PHÍ GIAO HÀNG TOÀN QUỐC 1. Công nghệ Inverter tiết kiệm điện Bếp đôi điện từ Nagakawa NAG1214M sử dụng công nghệ biến tần Inverter kiểm
Đặc điểm nổi bật: - Mặt kính Schott Ceran - thương hiệu mặt kính hàng đầu thế giới - Công nghệ Inverter tiết kiệm điện - Hệ điều hành kép giúp bếp hoạt động bền
Công nghệ Inverter tiết kiệm điện Bếp Đôi Điện Từ Inverter Nagakawa NAG1213M sử dụng công nghệ biến tần Inverter kiểm soát công suất của thiết bị, nhằm tránh hao phí năng lượng trong quá
Công nghệ Inverter tiết kiệm điện Bếp đôi điện từ Nagakawa NK2C02M sử dụng công nghệ biến tần Inverter kiểm soát công suất của thiết bị, nhằm tránh hao phí năng lượng trong quá trình
Công nghệ Inverter tiết kiệm điện Bếp đôi điện từ Nagakawa NK2C05MB sử dụng công nghệ biến tần Inverter kiểm soát công suất của thiết bị, nhằm tránh hao phí năng lượng trong quá trình
Bếp từ đôi cảm ứng KAFF KF-FL101II thuộc dòng bếp từ cao cấp của thương hiệu thiết bị nhà bếp nổi tiếng tại Đức KAFF, là sự kết hợp hoàn hảo giữa 2 bên bếp
SAU KHI MUA HÀNG, QUÝ KHÁCH HÃY LIÊN HỆ ĐẾN SĐT TRÊN HÓA ĐƠN KÈM THEO SẢN PHẨM ĐỂ ĐƯỢC NHÂN VIÊN HỖ TRỢ LẮP ĐẶT MIỄN PHÍ TẬN NHÀ (TP. HCM) Bếp điện từ